按照大家的常规理解，目前制造7nm及以下的芯片，必须用到EUV光刻机。

因为很多人都认为，浸润式DUV光刻机，就算通过水的折射，等效于134nm的波长，但其理论极限大约在38nm左右的半节距，是搞不定不了7nm及5nm，甚至更先进的芯片的。

事实上，7nm芯片的半间距是27-30nm左右，所以明显直接用浸润式DUV，肯定是制造不了7nm芯片的。

但是，当没有EUV光刻机的情况之下，依然有解决办法，那就是用刻蚀设备来凑。

大家应该都清楚，目前我们并没有EUV光刻机，但实际上已经制造出等效的7nm芯片了吧，那就是浸润式DUV+刻蚀机的功劳。

可以用浸润式DUV，结合刻蚀和薄膜设备，经过多次曝光后，实现7nm工艺，未来甚至能实现5nm、3nm工艺。

芯片的制造过程，其实就是类似投影仪，把光罩上的芯片电路图转移至硅晶圆上。

正常来讲，如果光刻机的分辨率够用，一次就可以将一个光罩上的图全部投影到硅晶圆上了，不需要多次。

但如果光刻机的分辨率不够时，则只能将一个光罩上的图，拆分成N个光罩，比如一个字，正常分辨率够的话，一次就刻录出来了，但如果分辨率不够怎么办，那就将字拆解成笔画，一笔一笔的刻。

而这个过程，就是三大工艺不断的循环，光刻、薄膜沉积、刻蚀三大工艺循环，最终把芯片电路，分成N次，拆分成N个光罩，最后把所有的图，都逐层转移到晶圆上。

在这个过程之中，刻蚀设备的要求，是越来越高，要考虑刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性，因为刻蚀完成后，又马上要进行另外一个循环，对刻蚀设备的要求更高了，任何一点问题，都会影响到下一次的循环，那良率就会出现大问题。

事实上，随着芯片向3D等结构转变，芯片工艺的提升，不再仅仅是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数，那么这种3D芯片的蚀刻也会越来越难，所以未来刻蚀设备的地位，可能也会越来越重要。

所以行业，确实会有一个趋势，那就是EUV越来越没有那么重要，刻蚀会越来越重要了。

目前，国内刻蚀设备，其实表现的还是不错的，像中微、应用材料、屹唐半导体，虽然起步晚，但在技术上，都有所突破。在全球份额中，也拿到了10%以上的份额，算是一个不错的成绩了。