随着PC硬件功耗持续攀升，以及用户对电源体积、效率与稳定性提出更高要求，传统硅基MOSFET在高频、高功率密度场景下，逐渐逼近物理与效率瓶颈。也正是在这样的背景下，氮化镓开始被引入到高端电源与高功率快充产品中，成为近几年电源技术升级的关键方向之一。
相比传统硅基器件，氮化镓属于第三代半导体材料，其具备更高的电子迁移率与击穿电压，使其在高频开关时拥有更低的导通损耗与开关损耗。这意味着在相同输出功率下，GaN电源可以使用更高的开关频率，从而显著缩小变压器、电感等被动元件的体积，为电源实现更小尺寸与更高功率密度提供了基础。
与此同时，更低的损耗也直接带来了更高的转换效率与更低的发热量。在高负载或长时间运行场景下，GaN电源不仅能减少能量浪费，还能降低内部温度压力，对稳定性与元件寿命都有正向帮助。这也是为何越来越多定位高端、追求效率与安静表现的电源产品，开始逐步采用氮化镓方案的核心原因。
产品开箱：
长城SPARK 系列 850W 全模组 ATX 电源，整体风格偏向高端与专业定位。正面清晰标注 80 PLUS Gold 金牌认证，并支持 ATX 3.1 与 PCIe 5.1 新规范，面向新一代高功耗平台。右上角醒目的 “GaN 氮化镓” 标识，强调其采用氮化镓方案，主打更高效率与更高功率密度，为高性能装机提供稳定且前瞻的供电基础。
包装侧面进一步列出了这款 电源的核心规格与设计亮点，包括采用第三代半导体氮化镓（GaN）技术、通过 80 PLUS 金牌与 CE 认证，转换效率可达 90.69%；架构方面为主动式PFC+ LLC + DC/DC+同步整流架构，并配备单路 12V 大电流设计，兼顾高端 CPU 与显卡负载需求。同时支持智能风扇启停、NTC + 继电器浪涌抑制及多级 EMI 防护，并严格遵循 Intel ATX 3.1 规范，全面兼容 PCIe 5.1 新一代平台。
完整附件一览，包含电源本体、电源线以及多组可拆卸模组线材，线材覆盖主板 24Pin、CPU 供电、PCIe 显卡供电与 SATA 等接口，规格齐全，可满足主流及高端平台装机需求；同时附送扎带，配合黑色扁平化线材设计，便于理线与背线整理，整体配置以实用性与装机友好度为主，符合其高功率全模组电源的产品定位。
SPARK S8 850W电源本体侧面铭牌。铭牌清晰标注了电源的型号信息、额定功率 850W、各路输出规格，并注明采用GaN氮化镓方案，通过 80 PLUS Gold（金牌）认证等。同时可见完整的安规与认证标识，以及“不可自行拆解”的安全提示.
从铭牌参数来看，SPARK S8 850W电源定位清晰、规格完整：采用单路 +12V 设计，输出电流高达70.8A，可为高端 CPU 与高功耗显卡提供充足余量；+5V 与 +3.3V各为18A，联合输出功率100W，满足主板与外设供电需求。电源支持 AC 100–240V 宽幅输入，通过80 PLUS Gold金牌认证，并符合ATX 3.1 与 PCIe 5.1新规范，同时标注采用 GaN氮化镓方案，在效率与功率密度方面具备一定优势，整体参数符合新一代中高端装机平台的供电需求。
电源采用全模组设计，接口区按 CPU/PCIe、24Pin ATX 以及 Peripheral & SATA 明确划分，布局直观，安装时不易误插；多组 8Pin CPU/PCIe 接口可同时满足高核心数处理器与高功耗显卡的供电需求，配合独立 24Pin 主板供电接口以及数量充足的 SATA/外设接口，整体扩展性符合 ATX 3.1 / PCIe 5.1 平台取向，能够覆盖主流至高性能装机方案的使用需求。
电源配备12cm散热风扇，结合金属防护网设计，确保进风顺畅并兼顾安全性；同时支持智能风扇停转功能，在低负载或日常使用时风扇可完全停止运转，实现更安静的工作环境，而当负载提升、温度上升后风扇再自动启动，在静音表现与散热效率之间取得良好平衡。
电源尾部采用大面积蜂窝状出风孔设计，有利于热量快速排出，提升整体散热效率；右侧集成AC电源输入接口与独立电源开关，布局规整、操作直观，符合常见 ATX 电源使用习惯。通过出风孔还能隐约看到内部元件分布，整体做工扎实，兼顾散热、安全性与实用性，属于标准且成熟的电源尾部设计方案。
该电源在设计上融入了多重安全保护机制，通过微秒级响应在异常工况下及时切断输出，为整机硬件提供完整防护。其内置OVP过压、OCP过流、OPP过功率、OTP过温以及SCP短路 五重保护，能够覆盖高负载、异常波动及意外短路等使用场景；在触发保护时，电源可迅速进入关断或保护状态，避免对主板、显卡及线材造成损伤，整体取向偏向稳定、安全与长期可靠运行，符合中高端电源的设计定位。
上机测试：
测试平台采用R9 9950X3D+RTX5080，这配置用额定功率850W电源是不错的选择。
在低负载风扇停转状态下，通过热成像可以看到电源内部温度控制依然十分出色，核心区域最高温度约在50℃左右，其余区域普遍维持在30℃出头，没有出现热量快速堆积的情况。即便在无主动散热介入的前提下，内部热分布依旧均匀稳定，这也直观体现了氮化镓方案高效率、低损耗带来的优势——发热源更少、热压力更低，使电源在静音工况下依然具备“秒杀级”的温控表现。
在测试环节中，使用AIDA64 System Stability Test 进行单FPU烤机测试，仅勾选FPU 项目，以模拟CPU在高强度浮点运算下的持续满载场景。测试同时配合 小米智能电力插座 进行整机功耗监测，可实时读取墙插侧输入功率；从读数来看，单FPU负载下整机功耗约在290W左右，功耗曲线稳定，无明显波动。整个测试过程中系统运行正常，电源输出电压保持稳定，未出现异常掉压或保护触发，体现了该电源在CPU高负载场景下良好的供电稳定性与持续输出能力。
在极限负载测试中，同时开启AIDA64单FPU对CPU进行持续满载压力测试，并运行FurMark对显卡进行满载烤机，模拟CPU与GPU同时高功耗运行的实际极端场景。测试过程中配合小米智能电力插座监测墙插侧整机功耗，实测联合烤机状态下整机输入功耗约为670W左右，功耗输出稳定，未出现明显波动或异常跳变。以850W额定功率计算，此时负载约占电源额定输出的80%左右，仍保留一定功率余量，整个测试期间系统运行正常，电源未触发保护机制，各路电压表现稳定，体现出该850W氮化镓电源在高负载场景下良好的持续输出能力与平台适配余量，也符合ATX3.1对高功耗平台的设计取向。
在满载联合烤机状态下，通过海康威视热成像仪对电源内部进行观察，可以看到整体热量分布较为均匀，没有出现明显的局部高温堆积。高发热区域主要集中在功率器件与变压模块附近，最高温度约在55–58℃区间，而风扇区域与外围元件温度明显更低，核心区域温差控制合理。这也从侧面反映出氮化镓方案在高效率、低损耗方面的优势——在接近额定输出的情况下，内部发热被有效压制，散热压力可控，有助于提升整机稳定性与长期可靠性。
总结：
综合来看，长城SPARK850W电源基于第三代半导体氮化镓方案，在高开关频率与低损耗特性的加持下，实现了高效率与低发热的平衡。其通过80PLUS金牌认证，在230V环境下50%负载峰值转换效率达92.88%，即便满载也能保持90%以上表现，配合单路12V/849.6W的强力输出与ATX3.1瞬态负载支持，为高性能平台提供充足而稳定的供电保障；再结合7年质保承诺（1年换新、6年保修），无论性能、能效还是长期可靠性层面，都属于值得选购的电源方案。