聊点事：

受人工智能基础设施建设持续扩张的驱动，强劲需求与供应瓶颈共同推升了存储芯片价格，不仅带动全球半导体板块在新年伊始强势反弹，更引发市场对该行业结构性增长周期的强烈预期。

在2025年经历大幅上涨后，作为AI模型训练与运行关键组件的存储芯片，其供应短缺状况并未缓解。Counterpoint Research的数据显示，动态随机存取存储器（DRAM）的价格预计将在2026年第二季度前再上涨40%。

此外，据媒体报道全球最大存储芯片制造商三星电子将于周四(1月8日)公布2025年第四季度初步业绩。由于严重芯片短缺推动存储芯片价格大幅飙升，分析师预计，三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。据LSEG SmartEstimate对31名分析师的预测，三星预计在10月至12月期间实现16.9万亿韩元的营业利润(约合117亿美元)，高于上年同期的6.49万亿韩元，并将创下自2018年第三季度以来的最高季度利润。

TrendForce的数据显示，第四季度DDR5 DRAM 芯片的价格比上年同期上涨了314%。由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用，以满足AI Server需求，导致其他市场供给严重紧缩，该机构预计，本季度传统DRAM合约价格将较去年四季度上涨55%至60%，NAND闪存产品类别的合约价格上涨33%至38%。

市场表现方面，隔夜美股存储概念股集体爆发，美光科技涨超10%，再创历史新高，总市值达到3865亿美元。SanDisk收涨超27%，创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%，创逾五年来最大单日涨幅。希捷科技涨14%。

讲逻辑：

展望后市，国金证券认为，2026年全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价，预计2026年DRAM的位元供应量增幅约为15%至20%，而需求增速预计将达到20%至25%左右。

野村证券表示，这一轮始于今年下半年的存储超级周期至少延续至2027年，并且真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现。野村分析师团队表示，投资者们在2026年应继续超配存储龙头，把存储芯片价格—利润—估值三击作为2026年存储投资主线，而不是仅把存储当HBM单一题材。

东方证券最新研报认为，海外存储巨头重点布局HBM，在通用存储方面产能释放可能有限，存储供不应求的情况可能持续较长时间。

国金证券表示，每轮存储大周期(08年、16年等)的开启都是由新兴技术推动产品升级和创新，进而催生新产品的总量、渗透率和存储器价值量的提升，推动存储器市场规模上升一个台阶，随着AI驱动需求提升，当下正处在新一轮存储大周期的起点。建议持续重点关注存储器库存、价格数据以及AI算力提升对存储芯片的需求拉动。

选标的：

布局方面，东方证券表示，存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，存储产业链相关标的：兆易创新、普冉股份、佰维存储、江波龙、同有科技等。