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中国第四代半导体横空出世,稀缺性远超稀土。其核心原料之一锑,在地壳中丰度仅十万分

中国第四代半导体横空出世,稀缺性远超稀土。其核心原料之一锑,在地壳中丰度仅十万分之6.5,比稀土稀缺100倍。 此前西方在逻辑芯片上围堵我们,2022年8月还将氧化镓等列入出口管制清单,妄图遏制我国在6G等领域发展。但中国早有布局,2016年就攻克相关技术。从专利看,2022年11月中国登记在册的氧化类功率半导体有效专利568件,全球第一,远超日本。而且第四代半导体在性能上优势明显,如氧化镓击穿场强是硅的二十多倍。这次中国换道超车,稳稳掌握主动权。