截至2025年11月，中国在高端光刻机领域已取得显著进展，尤其在EUV光源技术和DUV设备国产化方面实现突破，但与全球顶尖水平仍存在差距，整体处于技术追赶与产业化攻坚阶段。以下是具体进展分析：一、EUV光刻机：核心光源突破，商业化进程加速 1. 光源技术突破 • 中科院上海光机所团队成功研发固态深紫外激光光源，输出波长193纳米相干光，匹配主流DUV曝光技术，光谱纯度接近商用标准，且体积小、能耗低、维护成本低，为EUV光源国产化奠定基础。 • 林楠团队建立LPP-EUV光源实验平台，实现1微米固体激光到13.5纳米极紫外光3.42%的转换效率（国际领先水平），主焦点单脉冲能量超20mJ，为国产EUV光刻机商业化提供关键技术支撑。 2. 设备研发与试产计划 • 国内计划2025年二季度试产EUV光刻机，2026年量产，目标打破ASML垄断。设备采用固态光源技术，结合其他模块，瞄准3纳米及以下先进制程。 • 哈工大在EUV光源领域取得突破，研发DPP（放电等离子体）光源技术，效率提升且设备占地面积小，为国产EUV光刻机提供低成本替代方案。二、DUV光刻机：国产化率提升，成熟制程自主可控 1. 量产与研发进展 • 上海微电子自主研发的600系列光刻机已实现90纳米制程量产，并推进28纳米浸没式光刻机研发测试，预计2026年推出，覆盖国内70%成熟制程需求。 • 宇量昇与中芯国际合作验证的浸没式DUV光刻机进入关键阶段，若量产成功，将减少对西方技术依赖，提升先进AI处理器产能。 2. 市场替代与产业链协同 • 国产DUV设备在i线前道光刻机和中低端市场实现批量替代，国产化率提升至12%（较2024年增长5个百分点）。 • 配套产业升级显著： • 江丰电子研发的多层钛合金扩散焊接技术应用于28纳米以下节点光刻机冷却部件，并进入量产阶段。 • 富创精密、蓝特光学等企业在反射镜、场镜等光学元器件领域实现技术突破，国产化率提升至35%。三、技术路线多元化：纳米压印与电子束光刻并行 1. 纳米压印光刻（NIL） • 璞璘科技交付首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，实现10纳米级制程加工，线宽精度达0.6纳米，应用于存储芯片、硅光芯片等领域。该技术不依赖昂贵激光光源，成本低于EUV，且生产效率更高。 2. 电子束光刻（EBL） • 国内企业探索电子束光刻技术，通过高精度电子束在硅晶体上刻写集成电路，虽效率较低，但为先进芯片制造提供替代路径。四、国际竞争格局与挑战 1. ASML垄断地位受挑战 • 中国EUV光刻机试产计划及俄罗斯11.2纳米光源技术路线，对ASML的垄断地位构成威胁。ASML高管曾警告，技术管制可能加速中国自主研发，导致其失去市场优势。 2. 技术差距与追赶周期 • 高端EUV光刻机仍面临核心部件研发滞后（如精密光学镜头、高功率激光器）等问题，技术差距需5-8年追赶周期。 • 全球市场对华技术封锁压力持续，ASML最新NXE:4600 EUV设备仍受出口管制条例限制，短期内难以向中国供应。五、未来展望：2030年市场占有率目标40% • 政策支持：中央财政对半导体设备研发补贴提升至20%，叠加本土供应链协同效应释放，推动技术迭代加速。 • 战略转型：预计到2030年，国产光刻机市场占有率有望突破40%，推动中国从“全球芯片制造中心”向“高端装备供给中枢”转型。 • 技术路线：中国将继续坚持“成熟制程自主化与先进制程技术储备”双线作战，通过EUV光源突破、纳米压印技术商业化及电子束光刻技术储备，逐步缩小与国际顶尖水平差距。