我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示：感谢祖国的栽培！ 李爱珍出生于福建省石狮市，那里是典型的沿海小镇，家族虽有华侨背景，但她从小在本地长大，接受了系统的教育基础。1954年，她以优异成绩考入复旦大学化学系，四年后毕业，被分配到中国科学院上海冶金研究所，从事有色金属冶金研究。那时候，国内半导体技术还处于起步阶段，她从基础材料入手，逐步积累经验。研究所的环境简陋，但她专注于单晶材料和薄膜技术的探索，逐步转向半导体领域。 1960年代，她参与单晶生长实验，记录合金成分变化，推动了材料纯度提升。进入1970年代，她开始接触真空镀膜技术，每天处理化学试剂，双手常常染上痕迹，却从未间断数据记录。这些早期积累，为她后来的突破奠定了坚实基础。她的工作作风严谨，总是反复验证参数，确保每一步都经得起推敲。这段时期，她不仅掌握了核心工艺，还培养了团队协作意识，为后续项目打下人脉和方法论。 1980年，李爱珍获得公派机会，前往美国卡内基梅隆大学电子工程系担任访问学者。这次经历让她接触到先进的分子束外延设备，她花了两年时间学习操作细节，包括真空维持和界面控制。回国后，她立即投入国产化改造，奔波于上海和沈阳科学仪器厂，与工人一起焊接线路和调试系统。1984年，设备通过验收，这标志着中国在半导体外延生长上实现了自主可控。她没有停歇，转而组建信息功能材料实验室，专注于中远红外波段激光器研究。 1995年，她带领小组锁定量子级联激光器课题，当时国际上这项技术仍被少数国家垄断。她从设计能量带结构入手，优化掺杂浓度和层厚参数。经过五年坚持，2000年团队成功研制出5至8微米波段的半导体量子级联激光器，这让中国在该领域跻身世界前列。成果发表后，迅速被国际期刊引用，推动了光电子器件的发展。她的领导方式注重细节分工，每位成员负责特定模块，确保整体进度平稳推进。这项突破不仅提升了国家技术实力，还为后续应用如红外探测铺平道路。 进入新世纪，李爱珍的学术影响力逐步扩大。她开始准备中国科学院院士申请，1999年首次提交材料，包括激光器专著和专利列表。那时她已积累了多项成果，但第一轮评审即被淘汰。她没有过多纠结，继续优化器件性能。2001年，她再度申请，材料更注重工程应用，推荐院士增加到数位，但结果仍旧落选。2003年，她尝试中国工程院增选，强调技术国产化贡献，却同样未获通过。 2005年，中科院第三次申请，她已近70岁，材料涵盖最新论文和学生培养记录，七位院士联名推荐，可评审仍旧止步初审。这些经历让她面对挫折时保持专注，她调整方向，深入器件稳定性研究，推动功率输出提升。评审过程虽严苛，但她的坚持体现了科研工作的韧性。期间，她指导多名研究生，传授实验规范，确保团队产出高质量数据。这段时期，她的论文引用率稳步上升，国际合作项目增多，体现了个人能力的客观认可。 2007年5月1日，美国国家科学院公布新一届外籍院士名单，李爱珍赫然在列，成为首位获此殊荣的中国女科学家。这项荣誉基于她在量子级联激光器领域的开创性贡献，经国际同行严格审视。她的工作填补了中远红外波段的空白，推动了全球光电子进展。消息传开后，媒体蜂拥而至，她在采访中表达了对祖国的感激，并强调只记得给予，不计缺失。 这句话道出了她对科研环境的理性认知。外籍院士身份未改变她的日常，她继续在上海微系统与信息技术研究所指导项目，优化激光器封装技术。同期，她获2003年亚洲太平洋材料科学院院士称号，2004年工程学奖认可。这些叠加荣誉，凸显了她在材料科学界的地位。国内评审的落选与国际认可形成对比，引发了对评价机制的思考，但她的态度始终低调务实，专注于实际贡献。 李爱珍的职业生涯跨越半个多世纪，她发表超过250篇论文，获21项专利，培养14名研究生和2名博士后。这些学生分布国内外，继续她在半导体领域的传承。退休后，她虽年过七旬，仍每周到实验室巡视，审阅报告，指出潜在改进。她的研究方向从基础材料到应用器件，始终服务国家需求。 譬如，量子级联激光器不仅用于科研，还延伸到国防和医疗领域，提升了自主创新能力。在国际舞台，她参与多次会议，分享中国进展，促进交流。她的经历反映了老一辈科学家的家国情怀，强调集体力量而非个人光环。面对荣誉，她视作责任延续，从不张扬。这样的心态，让她在87岁高龄仍保持活跃，实验室灯光常为她而亮。这份坚持，值得后辈借鉴。