说明：本文华算科技介绍了同步辐射该论文聚焦于光催化合成过氧化氢（222作者设计了钌（）和氧（O）共修饰的ZnInS催化剂（），提出“氧原子引入诱导Ru配位环境变化，进而驱动光生电荷转移方向反转”的核心假说，而XAS技术则是验证该假说、解析催化剂结构的关键手段。

2、XAS在结构表征中的作用

1论文中，作者通过的XANES、EXAFS及小波变换，系统分析了Ru在Ru-ZIS与O-Ru-ZIS中的配位环境差异。

Ru-ZIS与O-Ru-ZIS中Ru的吸收边位置介于Ru箔（金属Ru，0价）与RuO（4+Ru~的正价态；且O-Ru-ZIS的吸收边略向高能量方向偏移，暗示氧的引入导致Ru周围电子云密度降低，价态略有升高，为后续电荷转移分析提供电子态依据。

1Ru-ZISEXAFS谱与拟合：的EXAFS傅里叶变换（FT）谱在1.93 Å处出现单一强峰（图），拟合结果（图）显示的配位数为4.2，键长约2.38 Å，对应Ru-S配位结构（无或Ru-O键信号），证明未引入氧时，Ru以Ru-S形式取代326而的EXAFS主峰位置移至1.56 Å（介于RuO的与Ru-ZIS的1.93 Å之间，图b），拟合结果（图2d）表明Ru的配位环境转变为Ru-SO（个S原子+3个O原子配位），键长分别对应Ru-S（≈2.35 Å）与Ru-O（≈1.98 Å），直接证实氧原子通过取代S原子进入晶格，改变了Ru的局部配位环境。

2Ru-ZIS2EXAFS小波变换：Ru排除了Ru金属颗粒或RuO杂质生成的可能，进一步验证了13（）确定Ru的晶格取代位点

Ru326InIn K-edge分析：O-Ru-ZIS23In）之间；傅里叶变换谱（图f）中，O-Ru-ZIS的In主峰位置介于Ru-ZIS（In-S键）与InO（键）之间；

图3：e)与O-Ru-ZIS的In K边归一化XANES谱；f) Ru-ZIS、O-Ru-ZIS、In箔及In2的傅里叶变换谱；箔、RuO2InO3Ru-ZISXANES1）显示：的吸收边相对于Ru-ZIS向高能量方向偏移约2 eV，这是由于O的电负性（3.44）远高于S（2.58），O原子引入后会吸引Ru周围的电子云，导致Ru的电子云密度降低、有效核电荷增加，进而使X射线吸收边向高能量方向移动。

论文的核心亮点在于多表征技术XAS（）XAS与XPS的配合

1s谱）：InS晶格；

3：小波变换）：O图4：XPS表征

2DFT计算（图S5）：、O1Ru-S2、O3Ru-S1结构的形成能最低（最稳定），且电荷分布呈现位点正电荷富集；

实验测得O-Ru-ZIS中Ru的配位结构为Ru-S1，配位数与键长参数与计算的模型完全一致。理论计算与实验表征的相互印证，大幅提升了结构结论的可信度。

（）XAS与原位XPS的配合

原位6）：O-Ru-ZISXAS（图3解释了这一反转的结构根源—O引入导致Ru配位环境变为Ru-SO，电子云密度降低（正电荷富集），成为电子捕获位点。两者结合，阐明“结构变化（Ru配位环境转变）→电子态变化（Ru正电荷富集）→电荷转移反转”的因果关系。

XPS

4光催化性能（图、b）：O-Ru-ZIS的HO产率达-1-1O氛围），远高于（870.8 μmol gh）与纯326453.3 μmol gh）；

（图2d）：证实O-Ru-ZIS中Ru-SO结构增强了与O的轨道杂化，促进O吸附与活化，最终提升催化性能。为“结构–性能”关联提供了直接的结构证据。