俄罗斯正以差异化路径挑战ASML的EUV垄断,公布路线图计划2036年实现10纳米以下制程。其核心是避开ASML的13.5纳米技术体系,采用11.2纳米波长、氙气等离子体光源及钌/铍反射镜方案,理论上能降低维护成本并绕开专利壁垒。 该计划分三阶段推进:2026-2028年先攻40纳米设备,2029-2032年升级至28纳米,最终冲刺亚10纳米目标。但挑战显著:当前仅能生产350纳米光刻机,11.2纳米波长需重建全套配套生态,且项目暂不面向商业用途,短期或聚焦国防等特殊领域。
俄罗斯正以差异化路径挑战ASML的EUV垄断,公布路线图计划2036年实现10纳
沉默的水雷
2025-09-30 07:43:43
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