日本2nm芯片成功试产，中国“极紫外专项”进展如何？ 我国“极紫外专项”源于国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（简称“02专项”）。 2008年开始，“02专项”逐步升级为“极紫外专项”，聚焦EUV光刻全产业链关键，目标是实现EUV光刻机国产化及2nm工艺自主制造。 目前，我国在EUV技术领域取得多项关键突破，为2nm工艺奠定了坚实基础： 光学系统与精密机械：长春光机所、上海光机所等单位已经突破了EUV光学系统协同设计、超光滑非球面加工、高精度调平调焦（纳米级检测）等技术。 光刻胶材料：中科院化学所、北京科华微电子等联合承担的“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目，完成了EUV光刻胶关键材料设计、制备及工艺研发。 集中资源搞大项目、啃硬骨头，一直是我们举国体制的最大优势，相信中国2nm芯片指日可待！ #日厂试产2nm重塑全球半导体格局#
