这方面的资料不多，查了一下最近的也就7月份有媒体发过，详情如下：

作为一种用于制造集成电路芯片的设备，光刻机对我国的重要作用是不言而喻的：

光刻机决定了芯片的集成度、性能和功耗，是芯片制造的关键步骤，也是芯片制造成本的主要组成部分。光刻机可以用于设计平面和复杂的3D结构，实现计算机成像、3D切割加工、3D扫描、建模和测试等多种应用，提高加工效率和质量。光刻机可以推动半导体、微电子、光电子、纳米技术等相关领域的发展，促进科技创新和产业升级。

目前世界上没有任何一个国家能够独立制造出光刻机。光刻机的各个部件和技术涉及多个国家和地区，例如光源技术是美国的、光学设备是日本的、轴承是瑞典的、阀件是法国的、机械工艺和蔡司镜头是德国的、制造技术则是来自台积电和三星等。这些技术都被相关国家牢牢掌握在手中，绝不肯轻易示人，甚至你重金购买其专利产品都有严格限制条款，比如，不得出口至某些国家等。

众所周知，目前光刻机制造技术最发达的国家是荷兰和美国。荷兰的ASML公司是全球最大的光刻机制造商，占据了全球80%的市场份额，尤其是在EUV（极紫外）光刻机方面，几乎处于垄断地位。美国的Cymer公司是全球唯一能够提供EUV光源的公司，也是ASML的重要合作伙伴。除了荷兰和美国之外，日本和德国也有一定的光刻机技术，但不如前两者先进。

值得一提的是，中国在光刻机技术方面曾经站在世界“第一方阵”。1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。1982年，科学院109厂制造出当时世界上较为先进的KHA-75-1光刻机。1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，这是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是此后，我国开始从国外购买光刻机产品，且性价比远高于自我研发。由此，我国光刻技术的自主研发和产业化开始停滞不前。到上世纪九十年代，我国光刻机光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，而荷兰的ASML和中国台湾的台积电则迅速崛起，傲视群雄。

实事求是地说，眼下我国的光刻机技术与最先进的光刻机技术相比，还有很大的差距。我国目前能够自主研发的光刻机只能达到90nm的工艺水平，而最先进的EUV光刻机已经可以实现7nm甚至5nm的工艺水平。我国在光刻机方面面临着多方面的挑战，包括零部件、材料、软件、调试、冷却等方面。我国急需加强科技创新和产业升级，突破关键技术和瓶颈，才能实现光刻机领域的弯道超车。

总额来说就是目前的发展有进步，但是距离发达国家还是有很大的差距，但是呢，只要各方共同努力，中国光刻机再次登上科技巅峰的时刻会再次到来。毕竟我们曾经也巅峰过，现在努力努力，要赶上去还是有机会的！