芯片制造是门精细活，整个流程需要几百种设备、几百道工序。

其中光刻、刻蚀、薄膜沉积三个环节最关键，分别对应光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备这三大核心设备。

光刻在最前头，用光在硅晶圆上"画"出电路图案；刻蚀接着按图案"雕刻"下层材料，构建电路结构；薄膜沉积则是在硅片上"铺"材料，一层层搭起电路架构。

这三个环节搞定，芯片基本就成型了。

光刻机这块，国产设备确实比ASML落后不少，差个十年甚至更多。

但刻蚀和薄膜沉积领域，咱们已经冲到全球顶尖水平。中微公司就是典型例子——这家2004年由尹志尧博士创办的企业，如今在刻蚀机领域已达3nm精度，薄膜沉积和MOCVD设备也全球领先。

中微的刻蚀机研发路走得不容易。2007年，他们推出中国首台电容性等离子体刻蚀设备，打破国外垄断。

早年间美国还限制先进刻蚀机出口中国，可中微突破后，限制反而取消了——再禁下去，美企自己要丢市场。后来中微越做越强，刻蚀机精度达3nm，成功打入台积电供应链，设备元件还实现了100%国产，完全自主可控，不怕卡脖子。

除了刻蚀机，中微的薄膜沉积设备和MOCVD设备也牛。特别是氮化镓基LED MOCVD设备，全球领先。

这说明中国企业完全能造出先进芯片设备。要是更多企业都能像中微这样，把水平提到全球顶尖，达到3nm甚至更先进，那咱们就能自己搞定所有设备，禁令再严也不怕了。

现在的问题是，光刻机这块还得加把劲。其他环节已经顶上来了，就剩光刻机这块短板。但中微的例子说明，只要肯钻研，设备技术是能追上来的。芯片制造是个系统工程，每个环节都得强，整体才能强。

中微的故事证明，国产芯片设备不是做不出来，而是需要时间积累。只要坚持自主研发，把核心设备一个个攻克，国产芯片产业链就能真正站稳脚跟，到时候禁令什么的，自然就成了废纸。