随着新能源汽车与智能驾驶快速普及，转向系统正由传统液压向电动助力（EPS）全面切换。EPS需在极短时间内完成大扭矩输出与精细电流调节，对功率器件提出“高耐压、低损耗、强瞬时”三大硬指标。微硕WINSOK推出的N沟道WSF20N20G（200 V／18 A／120 mΩ，TO-252-2L）凭借自对准平面工艺与低栅极电荷（Qg＝40 nC），成为EPS三相逆变桥的理想开关。

一、部件痛点

电机额定母线电压多为48 V～120 V，但冷启动、甩负荷瞬间可达180 V，器件必须留足裕量。

助力电机峰值功率1 kW级，脉冲电流>50 A，要求MOSFET在100 kHz PWM下仍保持低导通损耗。

发动机舱-40 ℃～+125 ℃循环，器件需抗温度冲击、抗雪崩，确保转向“不卡滞、不失效”。

二、WSF20N20G关键特性

200 V BVDSS，单颗即可覆盖12 V／24 V／48 V整车平台，裕量>65 %，无需串联。

120 mΩ（@10 V）低RDS(on)，18 A连续电流下导通损耗仅2.6 W，比同规格160 mΩ器件降低25 %，铝基板自然冷却即可。

72 A脉冲电流＋340 mJ雪崩能量，可在电机堵转瞬间吸收反向能量，省去TVS，简化EMC设计。

40 nC总栅极电荷，配合3 A栅极驱动器，开关上升/下降时间<50 ns，降低交越损耗，提升系统效率至>97 %。

-55 ℃～150 ℃工作结温，通过AEC-Q101 1000 h高温反偏、1000次温度循环认证，失效率<1 ppm。

三、EPS应用实例主驱三相桥：每相两颗WSF20N20G并联，总导通电阻60 mΩ，峰值相电流50 A时功耗4.2 W；采用6层2 oz铜FR4散热，结温温升仅35 ℃，满足ISO 16750-4 85 ℃持续运行要求。失效安全：器件内置体二极管，反向恢复时间230 ns，可在H桥上下管短路时提供续流通道，配合MCU快速关断，实现<100 µs的“limp-home”安全模式。EMC优化：Crss仅76 pF，dV/dt抗扰度>50 V/ns，抑制高速开关带来的传导骚扰，轻松通过CISPR 25 Class 5。

四、设计要点

栅极驱动：推荐VGS=10 V，驱动电阻10 Ω，开关频率20 kHz，兼顾效率与EMI。

散热：顶层铜箔≥2 oz，底部加铝散热垫，RθJA可控制在45 ℃/W以内，无需风扇。

保护：在漏-源并100 nF陶瓷电容，吸收母线尖峰；栅-源并10 kΩ下拉电阻，防止开路误导通。

五、结论WSF20N20G以200 V高耐压、低导通损耗与强雪崩能力，精准匹配汽车EPS“高可靠、高效率、小型化”需求，助力整车实现节能6 %、减重1.2 kg，已在国内多款A级轿车与轻型卡车上批量装车。随着线控转向（SbW）渗透率提升，WSF20N20G将成为更多车型转向系统的“硬核”心脏。